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DHTGB2010
高溫動態(tài)柵偏老化測試系統(tǒng)
該系統(tǒng)針對第三代SiC MOSFET具有動態(tài)柵偏老化測試能力，每塊試驗區(qū)可獨立老化測試12工位，獨立12路可配置脈沖，測試柵極漏電流相互之間不干擾?？蔀槠骷峁┦覝?10°C~200°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。
DHTRB2000
高溫動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng)
該系統(tǒng)針對SiC MOSFET進行動態(tài)反偏老化測試，測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進行最高12個工位的測試，工位具備獨立脈沖源配置。可為器件提供+10°C-175°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。
DH3TRB2000
高溫高濕動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng)
該系統(tǒng)針對SiC MOSFET進行高溫高濕動態(tài)反偏老化測試，測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進行最高10個工位的測試，工位具備獨立脈沖源配置。可為器件提供標(biāo)準(zhǔn)85℃/85%RH試驗環(huán)境。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。
